Nanoletters

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Pesquisa

Trabalho de colaboração cientifíca entre Tampere University of Technology (Finlândia), Departamento de Engenharia Elétrica da UFSCAR e Departamento de Física da UFSCAR foi recentemente publicado na revista Nanoletters. Neste trabalho, foi desenvolvido um novo método de controle de direção de crescimento de nanofios semicondutores de GaAs e investigado as propriedades estruturais destes nanofios .Utilizamos um método robusto e altamente controlável para a mudança determinística da direção de crescimento de nanofios de GaAs auto-catalisados.

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